在IC加工過程中，需要使用中間掩膜版和光掩膜版。我們定義中間掩模版是為整個(gè)基片曝光而必須分步和重復(fù)的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉(zhuǎn)移到整個(gè)硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。中間掩模版有兩種應(yīng)用：1）把圖形復(fù)印到工作掩模版上。2）在分步重復(fù)對準(zhǔn)儀中把圖像直接轉(zhuǎn)移到硅片上。在1X硅片步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進(jìn)光刻機(jī)中，掩模版上的圖形是放大的真實(shí)器件圖像。

  在過去的十年，光學(xué)掩膜版圖形的制作（PG）領(lǐng)域取得了顯著的進(jìn)步。圖形可以方便地制作，用成象的方法或使一系列矩形圖形精確地定位到鉻片上。因?yàn)镮C設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的圖形通常是多邊型的，它們必須被分解成矩形，稱作“分割”數(shù)據(jù)。關(guān)系圖形產(chǎn)生器（OPG）的關(guān)鍵部件是光孔（或快門），和一個(gè)可移動的臺階。快門被安裝在可移動的頭上，它可以被旋轉(zhuǎn)以獲得需要的θ值，快門尺寸能夠控制產(chǎn)生特定H、W的矩形來制作圖形。用10×的鏡頭把矩形成像到一個(gè)鍍有鉻的玻璃圓片的光敏層上。用激光控制X－Y臺面精確地定位圓片。由臺面設(shè)置光孔所定義的矩形的中心坐標(biāo)X和Y。光孔的尺寸可以控制在±7.5μm，導(dǎo)致掩膜版上尺寸的±0.75μm的不確定性（縮小10倍后）。這是關(guān)鍵尺寸的控制。如果生產(chǎn)10×的掩膜版，在硅片上產(chǎn)生±0.075的誤差。除孔的尺寸產(chǎn)生的錯(cuò)誤外，還有掩膜版和硅片加工時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。由于臺階受激光控制，所以X，Y的定位錯(cuò)誤非常小。當(dāng)仍然會導(dǎo)致定位錯(cuò)誤。這樣的錯(cuò)誤導(dǎo)致成品率的下降。

  OPG的成品率依賴于掩膜版的復(fù)雜程度，數(shù)據(jù)分割程序的優(yōu)化，和要求的定位精度。一個(gè)調(diào)制得很好的AZ1370機(jī)器在產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)化的圖形時(shí)，有每小時(shí) 10,000的曝光產(chǎn)率。一個(gè)復(fù)雜的VLSI電路有超過100,000的的矩形，要求10個(gè)多小時(shí)生產(chǎn)一個(gè)掩膜版。在這個(gè)期間要求溫度的變化不能大于± 0.5F，這樣才不增加定位錯(cuò)誤。掩膜版的質(zhì)量不能被確定，直到鉻顯影、蝕刻后。在那時(shí)的探傷就是10小時(shí)工作的檢驗(yàn)。

    我們不僅加工掩膜版，還專注于各種不銹鋼蝕刻工藝的研發(fā)及新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。